Everspin采樣1Gigabit ST-MRAM以提高存儲(chǔ)性能

1Gigabit自旋扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ST-MRAM）是具有DDR4兼容接口的高耐久性持久存儲(chǔ)器，可使存儲(chǔ)系統(tǒng)廠商能夠通過(guò)在不使用超級(jí)電容器或電池的情況下，提供防止電源丟失的保護(hù)來(lái)提高存儲(chǔ)設(shè)備和系統(tǒng)的可靠性和性能。

企業(yè)SSD設(shè)計(jì)人員可以利用固有的電源故障安全性的快速永久性存儲(chǔ)器，同時(shí)還減少了寫入放大和過(guò)度配置，這些對(duì)于NAND Flash的SSD來(lái)說(shuō)都是常見(jiàn)的限制。

1GMRAM在GloFo的垂直磁隧道結(jié)（pMTJ）技術(shù)上用300mm晶圓制成28nm CMOS。

1Gb部分的快速發(fā)展是pMTJ在不到一年的時(shí)間從40nm移動(dòng)到28nm工藝的高度可擴(kuò)展性的直接結(jié)果。